SK Hynix anunciou o desenvolvimento de sua primeira memória LPDDR6, afirmando ganhos significativos em relação à geração anterior: 33% mais rápida e 20% mais eficiente que a LPDDR5X.
A nova LPDDR6 foi desenvolvida em um nó de processo 10nm-class (1c) e terá uma velocidade operacional base de pouco mais de 10.7 Gbps, com chips de 16Gb por peça. Para reduzir consumo, a empresa implementou uma estrutura de subcanais que energiza apenas os caminhos de dados em uso e adotou DVFS (Dynamic Voltage and Frequency Scaling), técnica que reduz frequência e voltagem quando a demanda por memória é menor.
A chegada do produto da SK Hynix ocorre oito meses após a finalização do padrão LPDDR6 pela JEDEC em julho. A empresa também confirmou que a tecnologia será empregada em smartphones e tablets, e destacou o potencial de adoção em datacenters, especialmente em módulos SOCAMM voltados a servidores de IA. Vale notar que a Samsung já havia apresentado sua própria LPDDR6 na CES 2026, também com velocidades de até 10.7 Gbps.
Fontes: Tom’s Hardware
