Pesquisadores da Universidade de Cambridge desenvolveram um novo memristor de óxido de háfnio que opera com correntes de comutação cerca de um milhão de vezes menores que dispositivos convencionais, trabalhando em níveis abaixo de 10 nanoamps e oferecendo centenas de níveis distintos de condutância.
O dispositivo — descrito em artigo publicado na Science Advances — usa uma película multicomponente que forma internamente uma junção p‑n auto‑montada, em vez de depender de filamentos condutores. Memristors permitem armazenar e processar dados no mesmo local físico, o que elimina a transferência de informações entre memória e processamento e, segundo o estudo, poderia reduzir o consumo de energia de sistemas de IA em mais de 70%.
A abordagem do grupo liderado pelo Dr. Babak Bakhit evita o comportamento estocástico associado à comutação por filamentos — que tende a degradar a uniformidade entre dispositivos e limitar a precisão computacional — e permite que o memristor mude de estado de forma mais suave e controlada.
Fontes: Tom’s Hardware
