SK Hynix anunciou o desenvolvimento de sua primeira memória LPDDR6, projetada para entregar até 33% mais velocidade e cerca de 20% menos consumo em relação à geração LPDDR5X, fabricada no processo de classe 10nm.
A nova LPDDR6 terá uma velocidade operacional base superior a 10,7 Gbps e chips com capacidade de 16Gb por die. Para reduzir consumo, a fabricante implementou uma estrutura de subcanais que alimenta apenas os caminhos de dados em uso e adotou DVFS (Dynamic Voltage and Frequency Scaling), medidas que, segundo a empresa, permitem cortes de energia superiores a 20% comparado a produtos de DRAM anteriores.
SK Hynix informou que a LPDDR6 deve chegar a smartphones e tablets e também pode trazer ganhos relevantes para o mercado de datacenter, especialmente em módulos SOCAMM usados por servidores de IA. A fabricante revelou sua novidade cerca de oito meses depois que a JEDEC finalizou o padrão LPDDR6; a Samsung já havia apresentado um produto LPDDR6 durante a CES 2026, também com até 10,7 Gbps.
Fontes: Tom’s Hardware
